![]() | Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal ... Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb. Proceeding from JBPTITBPP / 2007-02-14 18:47:03. Oleh : Euis Sustini, Lab. Electronic Material Physics/ Dept. Physics - ITB (fismatel@ melsa.net.id) Dibuat : 2001-06-20, dengan 0 file. Keyword : thin film. Thin film GaSb ... |
![]() | Perpustakaan Digital ITB - Searching | Powered by GDL4.2 2001-06-19, Proceeding By Nur Rahmat; Deposisi film tipis NdBa2Cu3O7-d dengan metode DC unbalaced magnetron sputtering dari target stoikiometri 2001-06-19, Proceeding By Togar Saragi; Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb 2001-06-20, Proceeding ... |
![]() | Perpustakaan Digital ITB - Searching | Powered by GDL4.2 2001-06-19, Proceeding Oleh Nur Rahmat; Deposisi film tipis NdBa2Cu3O7-d dengan metode DC unbalaced magnetron sputtering dari target stoikiometri 2001-06-19, Proceeding Oleh Togar Saragi; Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb 2001-06-20Â ... |
![]() | Perpustakaan Digital ITB - Searching | Powered by GDL4.2 2001-06-19, Proceeding Oleh Nur Rahmat; Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb 2001-06-20, Proceeding Oleh Euis Sustini; Studi penumbuhan lapisan tipis silicon amorf nitrida terhidrogenasi (a-Si1-xNx:H) sebagai 'insulator gate' pada thin film transisitor (TFT) |
![]() | Perpustakaan Digital ITB - Artikel dalam folder | Powered by GDL4.2 Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb 2007-02-14, Proceeding oleh Euis Sustini; Penumbuhan film tipis GaN di atas sapphire dengan MOCVD berbantuan plasma 2007-02-14, Proceeding oleh Sugianto; Studi penumbuhan lapisan tipis silicon amorf nitrida ... |
![]() | Perpustakaan Digital ITB - Metadata in folder | Powered by GDL4.2 2007-02-14, Proceeding by Togar Saragi; Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb 2007-02-14, Proceeding by Euis Sustini; Penumbuhan film tipis GaN di atas sapphire dengan MOCVD berbantuan plasma 2007-02-14, Proceeding by Sugianto; Studi penumbuhan ... |
![]() | GDL - Perpustakaan Digital ITB - WELCOME | Powered by GDL4.2 Path: Home � Komentar. Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb. Beri Komentar. Nama *. E Mail. Subjek *. Komentar *. Verifikasi. Baca Artikel | Baca Komentar? ( 0 ). This work was carried out with the aid of a grant from INHERENT-DIKTI | Best Viewed with ... |
Demikianlah Postingan Koleksi Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb Doc [https://contohpenulisan-skripsi.blogspot.com/2018/08/koleksi-studi-awal-penumbuhan-film.html]
Sekianlah artikel Koleksi Studi awal penumbuhan film tipis GaSb dengan MOCVD vertikal dari precursor TMGa dan TDMaSb Doc kali ini, Semoga dapat membantu dan bermanfaat untuk Anda.
0 komentar:
Posting Komentar